A SK Hynix é a primeira empresa a apresentar uma solução TLC NAND UFS 4.1 de 321 camadas para drives de armazenamento e dispositivos móveis. A companhia promete apenas vantagens para seus novos chips: maior desempenho e eficiência energética, enquanto resultam em componentes mais finos — mesmo tendo um número maior de camadas.
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A nova geração representa um avanço em relação ao UFS 3.1, introduzido em 2022 com 238 camadas. A SK Hynix afirma que a UFS 4.1 proporciona até 15% mais velocidade de leitura aleatória, com a gravação aleatória aprimorada em até 40%. Em termos de leitura sequencial, a nova tecnologia atinge o limite máximo da interface, alcançando 4,3GB/s.
Os ganhos de desempenho são acompanhados de uma eficiência energética até 7% superior. Além disso, a fabricante afirma que o empacotamento das NAND fica em apenas 0,85mm de espessura, uma redução em relação ao 1mm da geração anterior. Esses aspectos são especialmente vantajosos em dispositivos móveis.
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A SK Hynix destaca o emprego de sua nova NAND para IA em smartphones e tablets. “Estamos no caminho para ampliar nossa posição como fornecedora de memória full-stack para IA no segmento NAND ao desenvolver um portfólio de produtos com a vantagem tecnológica para IA”, afirmou Ahn Hyun, um dos líderes da empresa.
Disponibilização de produtos com UFS 4.1 da SK Hynix prevista para 2026, em versões de 512GB e 1TB.
A SK Hynix anuncia que está finalizando acordos com seus clientes para a nova tecnologia NAND, podemos aguardar o lançamento em larga escala dos primeiros produtos com UFS 4.1 no primeiro trimestre de 2026.
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A empresa disponibilizará componentes de 512GB e 1TB, dificilmente teremos smartphones de alta performance com 256GB no próximo ano. Adicionalmente, deverão surgir, em algum momento, SSDs e até unidades para uso profissional utilizando NAND UFS 4.1 com 321 camadas.
GSMArena
Fonte: Adrenaline